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新一代DrMOS开关技术供电效率可达91

时间:2019-04-16 18:07:30

新一代DrMOS开关技术供电效率可达91%

整合式驱动器MOSFET(DrMOS)是由Intel公司提出的半导体装置封装标准,DrMOS将CPU等电源供应器所需要的两种类型功率MOSFET及单个驱动IC整合于单一封装中,以达到高效率省单位空间的目的。目前在服务器以及高端DIY主板产品中被采用,其中以微星主板应湖北治疗癫痫医院用最为广泛。  瑞萨科技近日发表R2J20653ANP,整合了驱动器与MOSFET,适用于笔记本电脑CPU、内存等稳压器(VR)。此产品符合整合式驱动器MOSFET(DrMOS)标准,可承受高电压;输入电压最高达27V,并可达到91%最高供电效率(以输入电压 20V及输出电压1.1V运作时);此外,R2J20653ANP是第一款DrMOS兼容并且在驱动IC中整合两阶段过热保护功能之产品,包括过热警示功能及过热停止运作功能,且于2009年12月7日开始量产。 微星主板广泛采用DrMOS技术  R2J20653ANP是符合此标准的高度整合装置,用途包括将20V输入电压转换为1北京癫痫病治疗好的医院.1V,CPU电源供应电压。R2J20653ANP兼北京癫痫病医院容于DrMOS产品并可承受高电压癫痫病的治疗费用高吗,适用于笔记本电脑变压器之20V电压。此产品推出,将有助于缩小笔记本电脑CPU电源供应器的尺寸,并提供更优异的效能,预期将带动DrMOS标准的广泛采用。

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